Udskriv side
IRFL024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFL024NTRPBF
Varenummer2468031
Også kendt somSP001575806
Teknisk datablad
48 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 6,460 |
| 50+ | kr 3,060 |
| 100+ | kr 2,700 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 32,30 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFL024NTRPBF
Varenummer2468031
Også kendt somSP001575806
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternativer til IRFL024NTRPBF
2 produkter blev fundet
Produktoversigt
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Product qualification according to JEDEC standard
- Planar cell structure for wide SOA
- Capable of being wave-soldered
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0005
Produktsporbarhed