Udskriv side
IRFHM830TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0038 ohm, QFN, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFHM830TRPBF
Varenummer1857346
Også kendt somSP001566782
Teknisk datablad
3.564 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 4,210 |
| 10+ | kr 3,860 |
| 100+ | kr 3,470 |
| 500+ | kr 2,650 |
| 1000+ | kr 2,480 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 4,21 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFHM830TRPBF
Varenummer1857346
Også kendt somSP001566782
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0038ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternativer til IRFHM830TRPBF
2 produkter blev fundet
Produktoversigt
The IRFHM830TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for battery protection, point of load ControlFET, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (<lt/>3.8mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>3.4°C/W) enables better thermal dissipation
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Applikationer
Motor Drive & Control, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.009072
Produktsporbarhed