Udskriv side
IRFHM792TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFHM792TRPBF
Varenummer3775961RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001554848, IRFHM792TRPBF
Teknisk datablad
3.303 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 500+ | kr 3,840 |
| 1000+ | kr 3,490 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flere: 1
kr 1.955,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFHM792TRPBF
Varenummer3775961RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001554848, IRFHM792TRPBF
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id4.8A
Continuous Drain Current Id N Channel4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.164ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.164ohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel10.4W
Power Dissipation P Channel10.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.164ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
10.4W
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.164ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
10.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001149
Produktsporbarhed