Udskriv side
IRFH7085TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFH7085TRPBF
Varenummer2456714
Også kendt somSP001560390
Teknisk datablad
4.009 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 16,300 |
| 10+ | kr 11,220 |
| 100+ | kr 8,530 |
| 500+ | kr 6,790 |
| 1000+ | kr 6,460 |
| 5000+ | kr 5,680 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 16,30 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFH7085TRPBF
Varenummer2456714
Også kendt somSP001560390
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0032ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation-
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET. The device is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier and resonant mode power supplies.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00143
Produktsporbarhed