Udskriv side
IRFB7730PBF
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB7730PBF
Varenummer2456726
Også kendt somSP001556128
Teknisk datablad
933 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 19,820 |
| 10+ | kr 18,400 |
| 100+ | kr 11,140 |
| 500+ | kr 10,620 |
| 1000+ | kr 10,400 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 19,82 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB7730PBF
Varenummer2456726
Også kendt somSP001556128
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktoversigt
The IRFB7730PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The StrongIRFET™ power MOSFET is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Applikationer
Motor Drive & Control, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001
Produktsporbarhed