Udskriv side
IRFB4115PBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB4115PBF
Varenummer1698286
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001565902
Teknisk datablad
6.008 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 20,000 |
| 10+ | kr 13,430 |
| 100+ | kr 10,820 |
| 500+ | kr 8,280 |
| 1000+ | kr 7,460 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 20,00 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB4115PBF
Varenummer1698286
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001565902
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source On State Resistance0.0093ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IRFB4115PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Halogen-free
Applikationer
Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0093ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002