Udskriv side
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF9Z24NSTRLPBF
Varenummer3155132
ProduktsortimentHEXFET
Også kendt somSP001554552
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0002
Produktsporbarhed