Udskriv side
1.864 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 50+ | kr 5,120 |
| 250+ | kr 4,490 |
| 1000+ | kr 4,290 |
| 2000+ | kr 4,210 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 547,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF7854TRPBF
Varenummer2725918RL
ProduktsortimentHEXFET
Også kendt somSP001563900
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.0134ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Produktoversigt
N-channel StrongIRFET™ power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. Suitable for use in primary side switch in bridge or two switch forward topologies using 48V (±10%) or 36V to 60V ETSI range inputs, secondary side synchronous rectification Switch for 12Vout, suitable for 48V non-isolated synchronous Buck DC-DC applications.
- Low gate to drain charge to reduce switching losses
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Product qualification according to JEDEC standard
- Standard pinout allows for drop-in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0134ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (1)
Alternativer til IRF7854TRPBF
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000074
Produktsporbarhed