Udskriv side
IRF7103TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF7103TRPBF
Varenummer2467996
Også kendt somSP001562004
Teknisk datablad
182.355 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 6,540 |
| 50+ | kr 4,510 |
| 250+ | kr 3,280 |
| 1000+ | kr 2,300 |
| 2000+ | kr 2,080 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 32,70 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF7103TRPBF
Varenummer2467996
Også kendt somSP001562004
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.11ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Alternativer til IRF7103TRPBF
2 produkter blev fundet
Produktoversigt
The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Applikationer
Industrial, Power Management
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Tilknyttede produkter
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00031
Produktsporbarhed