Udskriv side
IRF6645TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF6645TRPBF
Varenummer2725892RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001562050
Teknisk datablad
9.660 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 5,060 |
| 500+ | kr 3,850 |
| 1000+ | kr 3,480 |
| 5000+ | kr 3,220 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 541,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF6645TRPBF
Varenummer2725892RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001562050
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleDirectFET SJ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
DirectFET SJ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000121
Produktsporbarhed