Udskriv side
IRF3709ZSPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 87 A, 0.0063 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF3709ZSPBF
Varenummer1436944
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.0063ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.25V
Power Dissipation79mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The IRF3709ZSPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency synchronous buck converters.
- Low gate charge
- Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
Applikationer
Power Management, Computers & Computer Peripherals
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.25V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002369