Udskriv side
IRF3205ZLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF3205ZLPBF
Varenummer2579973
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001564660
Teknisk datablad
1.925 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 13,350 |
| 10+ | kr 10,520 |
| 100+ | kr 8,500 |
| 500+ | kr 6,880 |
| 1000+ | kr 6,130 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 13,35 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRF3205ZLPBF
Varenummer2579973
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001564660
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Produktoversigt
IRF3205ZLPBF is a HEXFET® Power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This feature combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Fast switching, repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Drain-to-source breakdown voltage is 55V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 4.9mohm (typ, VGS = 10V, ID = 66A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA (max, VDS = 55V, VGS = 0, TJ = 25°C)
- Gate-to-source charge is 21nC (typ, VDS = 44V, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 18ns (typ, VDD = 28, TJ = 25°C)
- Fall time is 67ns (typ, VGS = 10V, TJ = 25°C)
- Reverse recovery time is 28ns (typ, TJ = 25°C, IF = 66A, VDD = 25V)
- TO-262 package, operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
Tekniske dokumenter (2)
Tilknyttede produkter
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001225