Udskriv side
IPP120N20NFDAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-220, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPP120N20NFDAKSA1
Varenummer2480855
Også kendt somIPP120N20NFD, SP001108122
Teknisk datablad
982 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 31,540 |
| 10+ | kr 24,990 |
| 100+ | kr 23,950 |
| 500+ | kr 22,910 |
| 1000+ | kr 21,870 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 31,54 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPP120N20NFDAKSA1
Varenummer2480855
Også kendt somIPP120N20NFD, SP001108122
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
The IPP120N20NFD is a N-channel Power MOSFET with improved hard commutation ruggedness. This new OptiMOS™ fast diode (FD), Infineon's latest generation of power MOSFET is optimized for body diode hard commutation. It is the perfect choice for hard switching applications.
- Industry's lowest RDS (ON), Qg and Qrr
- Halogen-free, Green device
- Highest system reliability
- Highest efficiency and power density
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target application
Applikationer
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.023587
Produktsporbarhed