Udskriv side
IPP052NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPP052NE7N3GXKSA1
Varenummer2480849
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Også kendt somIPP052NE7N3 G, SP000641726
Teknisk datablad
8.180 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 24,330 |
| 10+ | kr 21,940 |
| 100+ | kr 17,460 |
| 500+ | kr 9,780 |
| 1000+ | kr 9,030 |
| 5000+ | kr 8,730 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 24,33 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPP052NE7N3GXKSA1
Varenummer2480849
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Også kendt somIPP052NE7N3 G, SP000641726
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0052ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativer til IPP052NE7N3GXKSA1
4 produkter blev fundet
Produktoversigt
- Opti MOS™3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converter
- Excellent gate charge x RDC(on) product (FOM)
- Very low on resistance RDS(on), N channel, normal level
- 100% avalanche tested, qualified according to JEDEC for target application
- 75V minimum drain source breakdown voltage (VGS=0V, 1D=1mA, 25°C)
- 5.2mohm maximum drain source on state resistance (VGSS=10V, 1D=80A, 25°C)
- 2.2ohm gate resistance
- PG-TO220-3 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.002008