Udskriv side
IPD60R750E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPD60R750E6ATMA1
Varenummer2764859RL
ProduktsortimentCoolMOS E6
Også kendt somIPD60R750E6, SP001117728
Teknisk datablad
Emballagemuligheder
Produceres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPD60R750E6ATMA1
Varenummer2764859RL
ProduktsortimentCoolMOS E6
Også kendt somIPD60R750E6, SP001117728
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance0.68ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS E6
Qualification-
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.68ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS E6
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000426