Udskriv side
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Varenummer3577355RL
ProduktsortimentCoolMOS PFD7 SJ
Også kendt somIPD60R1K0PFD7S, SP005353999
Teknisk datablad
517 På Lager
Brug for flere?
.
.
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,340 |
| 500+ | kr 2,640 |
| 1000+ | kr 2,390 |
| 5000+ | kr 1,780 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 369,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Varenummer3577355RL
ProduktsortimentCoolMOS PFD7 SJ
Også kendt somIPD60R1K0PFD7S, SP005353999
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.84ohm
On Resistance Rds(on)0.84ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation26W
Power Dissipation Pd26W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.84ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.84ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
26W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001
Produktsporbarhed