Udskriv side
IPB144N12N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPB144N12N3GATMA1
Varenummer2480804
Også kendt somIPB144N12N3 G, SP000694166
Teknisk datablad
251 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 21,460 |
| 10+ | kr 13,940 |
| 100+ | kr 9,610 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 21,46 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPB144N12N3GATMA1
Varenummer2480804
Også kendt somIPB144N12N3 G, SP000694166
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IPB144N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Qualified according to JEDE for target applications
- Halogen-free, Green device
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Normal level
Applikationer
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, LED Lighting
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00143
Produktsporbarhed