Udskriv side
IPB016N06L3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPB016N06L3GATMA1
Varenummer2480796
Også kendt somIPB016N06L3 G, SP000453040
Teknisk datablad
323 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 14,810 |
| 10+ | kr 13,160 |
| 100+ | kr 12,710 |
| 500+ | kr 12,490 |
| 1000+ | kr 12,190 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 14,81 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIPB016N06L3GATMA1
Varenummer2480796
Også kendt somIPB016N06L3 G, SP000453040
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance0.0016ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktoversigt
Optima's™ 3 power-transistor ideal for fast switching applications. Typical applications include synchronous rectification, solar micro inverter, isolated DC-DC converters, motor control for 12-48V systems, Or-ing switches.
- Optimized technology for DC/DC converters
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- System cost reduction
- Very low voltage overshoot
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (1)
Alternativer til IPB016N06L3GATMA1
4 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00143