Udskriv side
IMCQ120R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIMCQ120R026M2HXTMA1
Varenummer4695754
ProduktsortimentCoolSiC Series
Også kendt somIMCQ120R026M2H, SP005927117
Teknisk datablad
488 På Lager
Brug for flere?
.
.
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 98,430 |
| 5+ | kr 86,000 |
| 10+ | kr 73,500 |
| 50+ | kr 68,520 |
| 100+ | kr 63,530 |
| 250+ | kr 62,270 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 98,43 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIMCQ120R026M2HXTMA1
Varenummer4695754
ProduktsortimentCoolSiC Series
Også kendt somIMCQ120R026M2H, SP005927117
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0254ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation405W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
IMCQ120R026M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 58A at TC = 100°C
- RDS(on) = 25.4mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
82A
Drain Source On State Resistance
0.0254ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
405W
Product Range
CoolSiC Series
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00001
Produktsporbarhed