Udskriv side
IGP50N60TXKSA1
IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGP50N60TXKSA1
Varenummer1832355
Også kendt somIGP50N60T, SP000683046
Teknisk datablad
5 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 28,800 |
| 10+ | kr 22,160 |
| 100+ | kr 16,120 |
| 500+ | kr 15,890 |
| 1000+ | kr 12,310 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 28,80 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGP50N60TXKSA1
Varenummer1832355
Også kendt somIGP50N60T, SP000683046
Teknisk datablad
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IGP50N60T is a 600V Discrete IGBT Single Transistor without anti-parallel diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability
- ±20V Gate to emitter voltage (VGE)
- 0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient
Applikationer
Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, HVAC, Industrial
Tekniske specifikationer
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
333W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Tilknyttede produkter
3 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00195