Udskriv side
IGLT65R055D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HDSOP, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGLT65R055D2ATMA1
Varenummer4573847RL
Også kendt somIGLT65R055D2, SP005865971
Teknisk datablad
Kan bestilles
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | kr 50,150 |
| 100+ | kr 40,150 |
| 500+ | kr 36,040 |
| 1000+ | kr 34,480 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flere: 1
kr 536,50 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGLT65R055D2ATMA1
Varenummer4573847RL
Også kendt somIGLT65R055D2, SP005865971
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Typical Gate Charge4.7nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
4.7nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed