Udskriv side
IGLR65R200D2XUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGLR65R200D2XUMA1
Varenummer4573840RL
Også kendt somIGLR65R200D2, SP005918715
Teknisk datablad
Kan bestilles
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 9,850 |
| 500+ | kr 8,280 |
| 1000+ | kr 7,040 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 1.020,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGLR65R200D2XUMA1
Varenummer4573840RL
Også kendt somIGLR65R200D2, SP005918715
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.24ohm
Typical Gate Charge1.26nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
9.2A
Typical Gate Charge
1.26nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Mere information følger
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000001
Produktsporbarhed