Udskriv side
IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGB110S10S1XTMA1
Varenummer4680814RL
Også kendt somIGB110S10S1, SP005751575
Teknisk datablad
4.950 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 7,360 |
| 500+ | kr 6,170 |
| 1000+ | kr 5,260 |
| 5000+ | kr 4,810 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Flere: 1
kr 1.104,00 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIGB110S10S1XTMA1
Varenummer4680814RL
Også kendt somIGB110S10S1, SP005751575
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge3.4nC
No. of Pins4Pins
Tekniske specifikationer
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00001
Produktsporbarhed