Udskriv side
FF600R12IP4BOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Module
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerFF600R12IP4BOSA1
Varenummer3514416
ProduktsortimentPrimePACK 2
Også kendt somFF600R12IP4, SP000609754
Teknisk datablad
2 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 3.108,000 |
| 5+ | kr 3.046,000 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 3.108,00 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerFF600R12IP4BOSA1
Varenummer3514416
ProduktsortimentPrimePACK 2
Også kendt somFF600R12IP4, SP000609754
Teknisk datablad
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current600A
DC Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd3.35kW
Power Dissipation3.35kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins10Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
3.35kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
3.35kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
10Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
PrimePACK 2
Tekniske dokumenter (1)
Tilknyttede produkter
2 produkter blev fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Hungary
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Hungary
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.4
Produktsporbarhed