Udskriv side
BSO604NS2XUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSO604NS2XUMA1
Varenummer2725821RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kendt somBSO604NS2, SP000396268
Teknisk datablad
739 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 9,180 |
| 500+ | kr 7,130 |
| 1000+ | kr 6,420 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 953,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSO604NS2XUMA1
Varenummer2725821RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kendt somBSO604NS2, SP000396268
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.031ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
Produktoversigt
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.031ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
OptiMOS Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000265