Udskriv side
BSC093N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSC093N04LSGATMA1
Varenummer1775460
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Også kendt somBSC093N04LS G, SP000387929
Teknisk datablad
78.090 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 5,050 |
| 10+ | kr 3,910 |
| 100+ | kr 2,930 |
| 500+ | kr 2,190 |
| 1000+ | kr 1,680 |
| 5000+ | kr 1,430 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flere: 1
kr 5,05 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerBSC093N04LSGATMA1
Varenummer1775460
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Også kendt somBSC093N04LS G, SP000387929
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.0078ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The BSC093N04LS G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applikationer
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Malaysia
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000363
Produktsporbarhed