Udskriv side
AUIRFB8409
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerAUIRFB8409
Varenummer2352028
Også kendt somSP001521544
Teknisk datablad
2.918 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
Leveres så længe lager haves
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 46,500 |
| 5+ | kr 45,080 |
| 10+ | kr 43,600 |
| 50+ | kr 40,100 |
| 100+ | kr 39,280 |
| 250+ | kr 38,460 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 46,50 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerAUIRFB8409
Varenummer2352028
Også kendt somSP001521544
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativer til AUIRFB8409
4 produkter blev fundet
Produktoversigt
The AUIRFB8409 is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
- Advanced process technology
- New ultra low on-resistance
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Automotive qualified
- 175°C Operating temperature
Applikationer
Automotive
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Mexico
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00195
Produktsporbarhed