Udskriv side
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 7 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 764,490 |
| 5+ | kr 731,320 |
| 10+ | kr 698,150 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 764,49 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentGENESIC
Producentens varenummerG3R20MT17K
Varenummer3598657
ProduktsortimentG3R
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id124A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation809W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktoversigt
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Tekniske specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
124A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
809W
Product Range
G3R
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.001393