Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
4.660 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | kr 5,390 |
| 500+ | kr 5,040 |
| 1000+ | kr 4,690 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flere: 1
kr 574,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMT6004LPS-13
Varenummer3518398RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Drain Source On State Resistance2500µohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMT6004LPS-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in an 8 pin PowerDI5060 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, transformer driving switch, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Dain-source voltage is 60V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 400A
- Total power dissipation is 2.5W(TA = +25°C)
- Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized
- Low Qg minimizes switching losses
- 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
2500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (1)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000127