Udskriv side
DMP3099L-13
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
2.380 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 250+ | kr 0,605 |
| 1000+ | kr 0,452 |
| 5000+ | kr 0,429 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flere: 5
kr 337,50 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMP3099L-13
Varenummer3405196RL
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation1.08W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMP3099L-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include backlighting, power-management functions, DC-DC converters.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -11A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.08W
- Static drain-source on-resistance is 65mohm max at VGS = -10V, ID = -3.8A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.08W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000052