Udskriv side
DMP2045U-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
97.375 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 1,560 |
| 50+ | kr 1,210 |
| 100+ | kr 0,984 |
| 500+ | kr 0,820 |
| 1500+ | kr 0,728 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 7,80 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMP2045U-7
Varenummer3405184
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMP2045U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected gate
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -4.3A at TA = +25°C, steady state, VGS = -4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -25A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 45mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.0A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniske specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0002