Udskriv side
DMG3406L-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMG3406L-7
Varenummer3577034
ProduktsortimentDMG3406L
Teknisk datablad
2.625 På Lager
3.000 Du kan reservere fra lager nu
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | kr 2,640 |
| 50+ | kr 1,630 |
| 100+ | kr 0,824 |
| 500+ | kr 0,764 |
| 1500+ | kr 0,667 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flere: 5
kr 13,20 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMG3406L-7
Varenummer3577034
ProduktsortimentDMG3406L
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation770mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDMG3406L
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMG3406L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, and portable power adapters.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 30V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 3.6A at TA=+25°C, steady state, VGS=10V
- Pulsed drain current (pulse width ≤ 10µS, duty cycle ≤ 1%) is 30A at TA=+25°C
- Maximum body diode forward current is 1.4A at TA=+25°C
- Power dissipation is 0.77W
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
770mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DMG3406L
MSL
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.0002
Produktsporbarhed