Udskriv side
DMG1013UWQ-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
3.249 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 500+ | kr 0,596 |
| 1500+ | kr 0,554 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flere: 5
kr 333,00 (ekskl. Moms)
Der tilføjes et re-reeling-gebyr på kr 35,00 for dette produkt
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentDIODES INC.
Producentens varenummerDMG1013UWQ-7
Varenummer3127311RL
Teknisk datablad
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id820mA
Drain Source On State Resistance0.75ohm
On Resistance Rds(on)0.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation310mW
Power Dissipation Pd310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversigt
DMG1013UWQ-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT323 package. The DMG1013UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities.
- Dain-source voltage is -20V
- Gate-source voltage is ±6V
- Pulsed drain current is -3A
- Power dissipation is 0.31W
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- ESD protected
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
310mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
820mA
On Resistance Rds(on)
0.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (2)
Alternativer til DMG1013UWQ-7
1 produkt fundet
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000145
Produktsporbarhed