Udskriv side
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN200N10P
Varenummer1427322
ProduktsortimentPolar(TM) HiPerFET
Teknisk datablad
88 På Lager
Brug for flere?
Dag-til-dag levering
Bestil før kl. 17:00 for standardforsendelse
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 201,570 |
| 5+ | kr 174,570 |
| 10+ | kr 147,570 |
| 50+ | kr 142,510 |
| 100+ | kr 137,380 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 201,57 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN200N10P
Varenummer1427322
ProduktsortimentPolar(TM) HiPerFET
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktoversigt
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Applikationer
Power Management, Lighting
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Germany
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Germany
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.03
Produktsporbarhed