Udskriv side
SI4162DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Surface Mount
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
Kan bestilles
Producentens standard leveringstid: 34 uge(r)
Kontakt mig, når varen er på lager
| Antal | |
|---|---|
| 2500+ | kr 2,460 |
| 7500+ | kr 2,150 |
Pris for:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Flere: 2500
kr 6.150,00 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Produktoplysninger
ProducentVISHAY
Producentens varenummerSI4162DY-T1-GE3
Varenummer4320160
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.3A
Drain Source On State Resistance7900µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.000134
Produktsporbarhed