Udskriv side
FFSH5065A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 50 A, 147 nC, TO-247
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFFSH5065A
Varenummer2895628
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
358 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 580,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 73,650 |
| 5+ | kr 72,010 |
| 10+ | kr 70,370 |
| 50+ | kr 68,730 |
| 100+ | kr 63,880 |
| 250+ | kr 58,950 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 73,65 (ekskl. Moms)
Tilføj varenr. / Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentONSEMI
Producentens varenummerFFSH5065A
Varenummer2895628
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current50A
Total Capacitive Charge147nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversigt
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Tekniske specifikationer
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
147nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
50A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:China
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.007128
Produktsporbarhed