Kraftfulde muligheder med Microchip SiC

Silicon Carbide (SiC) power MOSFET-produktlinjen fra Microchip øger ydeevnen i forhold til silicium MOSFET og silicium IGBT-løsninger, mens den sænker de samlede ejeromkostninger til højspændingsapplikationer.

Microchips SiC-løsninger fokuserer på høj ydeevne, der hjælper med at maksimere systemets effektivitet og minimere systemets vægt og størrelse. Microchips dokumenterede SiC-pålidelighed sikrer også, at ydeevnen ikke forringes i løbet af slutudstyrets levetid.

Beskrivelse

• MOSFET, N-CH, 1.2KV, 103A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.2KV, 103A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.2KV, 37A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.2KV, 37A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.2KV, 66A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.7KV, 68A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.7KV, 68A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1.7KV, 7A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 3.3KV, 11A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 3.3KV, 41A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700V, 140A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700V, 28A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700V, 39A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700V, 77A, TO-247

Produktegenskaber

• Lave kapacitanser og lav portladning
• Hurtig skiftehastighed på grund af lav intern målermodstand (ESR)
• Stabil drift ved høj krydstemperatur ved 175 grader celsius
• Hurtig og pålidelig kropsdiode
• Overlegen lavine robusthed
• RoHS-kompatibel

Siliciumcarbid (SiC) Power Schottky barrierediode (SBD) produktlinjen fra Microchip øger ydeevnen i forhold til siliciumdiodeløsninger, mens den sænker de samlede ejeromkostninger til højspændingsapplikationer.

Beskrivelse

• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 10A, TO-220
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 10A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 20A, TO-220
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 20A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 30A, TO-220
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 30A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 30A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 10A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 30A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 50A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 3.3KV, 184A, T-MAX
• SIC SCHOTTKY DIODE, 3.3KV, 62A, TO-247
• SIC SCHOTTKY DIODE, 700V, 10A, TO-220
• SIC SCHOTTKY DIODE, 700V, 30A, TO-247

Du kan bruge højspændings-ASDAK-2ASC-12A1HP-62-DK Augmented Switching accelereret udviklingskit med 1200V SiC MOSFET-moduler. Denne teknologi udnytter fordelene ved vores 700V og 1200V Siliciumcarbid (SiC) teknologi og omfatter hardware- og softwareelementer, der er nødvendige for hurtigt at optimere ydeevnen af Siliciumcarbid (SiC) moduler og systemer.

Dette nye værktøj gør det muligt for designere at justere systemets ydeevne gennem softwareindstillinger ved hjælp af AgileSwitch® Intelligent Configuration Tool (ICT) og en enhedsprogrammør. Der kræves ingen lodning.

ICT'en tilbyder konfiguration af forskellige drevparametre, herunder On/Off Gate Voltages, DC Link og Temperaturfejlniveauer og Augmented Switching-profiler.

Små ændringer af Augmented Switching-profilerne kan give dramatiske forbedringer i switch-effektivitet, overskydning, ringning og kortslutningsbeskyttelse.

Applikationer

• Elektriske køretøjer (EV'er)
• Hybride elektriske køretøjer (HEV'er)
• DC smarte net
• Industriel
• Ladestationer

Produktegenskaber

• Kompatibel med 1200V SiC MOSFET-moduler
• Intelligent Configuration Tool (ICT) inkluderet

Sæt inkluderet

• 3x 2ASC-12A1HP - 1200V kerne
• 1x 62CA1 - 1200V 62mm moduladapter
• 1x ASBK-007 enhedsprogrammør-sæt
• 1x ICT software