Udskriv side
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN132N50P3
Varenummer2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Teknisk datablad
Lagerføres ikke længere
Produktoplysninger
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Producentens varenummerIXFN132N50P3
Varenummer2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.5kW
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Produktoversigt
Applikationer
Medical
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Tekniske dokumenter (2)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:United States
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Y-Ex
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.03
Produktsporbarhed