Udskriv side
IRFB4227PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Through Hole
Billedet er vejledende. Se produktspecifikationen.
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB4227PBF
Varenummer1298536
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001565892
Teknisk datablad
3.129 På Lager
Brug for flere?
EKSPRESLEVERING næste hverdag
Bestil inden kl. 17:00
GRATIS Standard levering tilgængelig
for ordrer over kr 0,00
Nøjagtige leveringstider vil blive beregnet i forbindelse med betaling
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | kr 20,230 |
| 10+ | kr 17,300 |
| 100+ | kr 14,380 |
| 500+ | kr 12,440 |
| 1000+ | kr 10,560 |
| 5000+ | kr 10,110 |
Pris for:Each
Minimum: 1
Flere: 1
kr 20,23 (ekskl. Moms)
Linjenote
Tilføjet til din ordrebekræftelse, faktura og følgeseddel kun for denne ordre.
Dette antal vil blive tilføjet til ordrebekræftelsen, faktura, følgeseddel, webbekræftelses-e-mail og produktetiket.
Produktoplysninger
ProducentINFINEON
Producentens varenummerIRFB4227PBF
Varenummer1298536
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kendt somSP001565892
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversigt
The IRFB4227PBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Applikationer
Power Management, Industrial
Tekniske specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tekniske dokumenter (3)
Lovgivning og miljø
Oprindelsesland:
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt stedOprindelsesland:Philippines
Det land, hvor den sidste væsentlige fremstillingsproces fandt sted
Tarifnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibel:Ja
RoHS
Kompatible med RoHS-phthalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download certifikat om produktoverholdelse
Certifikater om produktoverholdelse
Vægt (kg):.00195